Görsel mevcut değil
CP188-BC546B-WR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR LNA NPN
CP188-BC546B-WR Hakkında
CP188-BC546B-WR, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük gürültü amplifier (LNA) uygulamaları için tasarlanmıştır. Surface mount Die paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kollektor akımı ve 65 V VCEO kırılma gerilimine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 @ 2mA/5V koşullarında belirtilmiştir. 500 mW maksimum güç tüketimi ile küçük sinyal amplifikasyon, RF/mikrodalga ön amplifikasyon ve düşük seviye sinyal işleme devrelerinde kullanılır. -65°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında çeşitli endüstriyel ve askeri uygulamalarda yer bulur. ICBO max 15nA ve Vce saturation max 600mV @ 5mA/100mA parametreleri, tasarımcılara stabil ve öngörülebilir performans sağlar. Ürün İtiyad Edilmiş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
Die
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V