Temsili kılıf görseli · Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
YGW75N65F1 N Tipi 150A 650V 500W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör
YGW75N65F1
- Üretici
- Made in China
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247
- Ürün Ailesi
- YGW75N65F1
YGW75N65F1 N Tipi 150A 650V 500W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör Hakkında
YGW75N65F1 N Tipi 150A 650V 500W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör
| IGBT | Güç - Tüketimi | 500W |
|---|---|
| Ic | Kollektör Akımı | 150A |
| Vce | Kollektör - Emitter Voltajı | 650V |
| Transistör | Tip | IGBT + AntiParallel Diode |
| IGBT | Kanal Tipi | N |
| Vge | Gate - Emitter Voltajı | 20V |
| Vce | Kollektör - Emitter Satürasyon Voltajı | 1.7V |
| Tj | Birleşme Sıcaklığı | 175°C |
| Rise Time, typ | 40nS |
| IGBT | Çıkış Kapasitansı | 200pF |
| Total Gate Charge, typ | 260nC |
| ProductTypeStatic | IGBT |
