Görsel mevcut değil
YGW40N65F1 N Tipi 80A 650V 188W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör
YGW40N65F1
- Üretici
- Made in China
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Aile / Seri
- YGW40N65F1
YGW40N65F1 N Tipi 80A 650V 188W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör Hakkında
YGW40N65F1 N Tipi 80A 650V 188W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör
| IGBT | Güç - Tüketimi | 188W |
|---|---|
| Ic | Kollektör Akımı | 80A |
| Vce | Kollektör - Emitter Voltajı | 650V |
| Transistör | Tip | IGBT + AntiParallel Diode |
| IGBT | Kanal Tipi | N |
| Vge | Gate - Emitter Voltajı | 20V |
| Vce | Kollektör - Emitter Satürasyon Voltajı | 1.8V |
| Tj | Birleşme Sıcaklığı | 175°C |
| Rise Time, typ | 80nS |
| IGBT | Çıkış Kapasitansı | 100pF |
| Total Gate Charge, typ | 90nC |
| ProductTypeStatic | IGBT |
