Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
STD40P8F6AG (40P8F6) P-Kanal 20A 80V 100W TO-252 (DPAK) Mosfet Transistör
STD40P8F6AG
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kılıf / Paket
- —
STD40P8F6AG (40P8F6) P-Kanal 20A 80V 100W TO-252 (DPAK) Mosfet Transistör Hakkında
STD40P8F6AG, P-kanal yapıya sahip, 20A drain akımı, 80V drain-source gerilimi ve 100W güç kapasitesi sunan, TO-252 (DPAK) kılıf tipinde bir MOSFET transistördür. STD40P8F6AG, 40P8F 6 etiket kodludur.
| Kılıf | TO-252-3 DPak (2 Leads + Tab) SC-63 |
|---|---|
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Üretici Paket/Kılıf | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| FET Type | P-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4112 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| FET Feature | - |
| Drive Voltage (Max Rds On- Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id- Vgs | 28mOhm @ 20A 10V |