Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
GT25Q101 (25Q101) TO-3PL 25A 1200V 200W IGBT Transistör
GT25Q101
- Üretici
- Toshiba
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Aile / Seri
- GT25Q101
GT25Q101 (25Q101) TO-3PL 25A 1200V 200W IGBT Transistör Hakkında
GT25Q101 (25Q101) TO-3PL 25A 1200V 200W IGBT Transistör
| IGBT | Güç - Tüketimi | 200W |
|---|---|
| Ic | Kollektör Akımı | 25A |
| Vce | Kollektör - Emitter Voltajı | 1200V |
| Transistör | Tip | IGBT |
| IGBT | Kanal Tipi | N |
| Vge | Gate - Emitter Voltajı | 20V |
| Vce | Kollektör - Emitter Satürasyon Voltajı | 3V |
| Tj | Birleşme Sıcaklığı | 150°C |
| Rise Time, typ | 200nS |
İlgili Ürünler
