Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
TGAN60N60F2DS (60N60F2DS) TO-3P 120A 600V 357W IGBT Transistör
TGAN60N60F2DS
- Üretici
- FVRS
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
TGAN60N60F2DS (60N60F2DS) TO-3P 120A 600V 357W IGBT Transistör Hakkında
TGAN60N60F2DS (60N60F2DS) TO-3P 120A 600V 357W IGBT Transistör
| IGBT | Güç - Tüketimi | 357W |
|---|---|
| Ic | Kollektör Akımı | 120A |
| Vce | Kollektör - Emitter Voltajı | 600V |
| Transistör | Tip | IGBT |
| IGBT | Kanal Tipi | N |
| Vge | Gate - Emitter Voltajı | 20V |
| Vce | Kollektör - Emitter Satürasyon Voltajı | 1.75V |
| Tj | Birleşme Sıcaklığı | 150°C |
| Rise Time, typ | 46nS |
| IGBT | Çıkış Kapasitansı | 160pF |