Görsel mevcut değil
RGWX5TS65EHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGWX5TS65EHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWX5TS65EHRC11, yüksek hızlı anahtarlama özelliğine sahip Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V durdurma voltajı ve 132A maksimum kolektör akımı ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 59ns açılış ve 243ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 348W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle, güç kaynakları, motor kontrol sürücüleri, invertörler ve kaynak cihazları gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
132 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
213 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
348 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
59ns/243ns
Test Condition
400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V