Görsel mevcut değil
RGTH80TK65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGTH80TK65DGC11 Hakkında
RGTH80TK65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM/SC-93-3 kılıfında sunulan bu bileşen, 31A sabit kolektör akımı ve 160A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 2.1V düşük Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 79nC gate charge ve 34ns/120ns hızlı anahtarlama karakteristiği ile yüksek frekans uygulamalarında verimli çalışır. -40°C ile 175°C arasında güvenilir operasyon sağlar. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, lehimleme cihazları ve benzeri anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır. 66W maksimum güç dağılımı kapasitesi, kompakt tasarım gerektiren uygulamalara uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
66 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
34ns/120ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V