Görsel mevcut değil
RGTVX6TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTVX6TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTVX6TS65GC11, 650V 80A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 144A kontinü akım ve 320A darbe akımı ile çalışabilir. 1.9V (15V, 80A'de) düşük Vce(on) değerine sahip olan transistör, anahtarlama kaybını minimize eder. Gate charge'ı 171nC olan cihaz, 2.65mJ açılış ve 1.8mJ kapanış enerjileri ile verimli komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, fotovoltaik inverterler ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır. 404W maksimum güç kapasitesi ve standart giriş tipi ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
144 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
320 A
Gate Charge
171 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
404 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
45ns/201ns
Test Condition
400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V