Görsel mevcut değil
RGTH00TK65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGTH00TK65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TK65GC11, 650V kolektör-emiter diyot gerilimi ile tasarlanmış bir Trench Field Stop IGBT transistördür. 35A nominal kolektör akımı ve 200A darbeli akım kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlama işlevlerini yerine getirir. TO-3PFM paketinde sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 94nC gate charge ve 2.1V maksimum Vce(on) değerleri ile motor sürücüleri, inverter devreleri, kaynak cihazları ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 72W maksimum güç yayma kapasitesi ile sürekli çalışma uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
94 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
72 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
39ns/143ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V