Görsel mevcut değil
RGPZ10BM40FHTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT
RGPZ10BM40FHTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGPZ10BM40FHTL, standart input türünde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 20A collector akımı ve 460V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 2.0V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 14 nC gate charge ve 500ns/4µs açılış/kapanış süreleri ile hızlı komütasyon yapabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç uygulamalarında ve motor sürücülerinde kullanılır. Maksimum 107W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Komponent eski tasarımlar için üretilmekte olup yeni tasarımlarda kullanımı önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Gate Charge
14 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
107 W
Supplier Device Package
TO-252
Td (on/off) @ 25°C
500ns/4µs
Test Condition
300V, 8A, 100Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.0V @ 5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
460 V