Görsel mevcut değil
RGS80TS65HRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT.
RGS80TS65HRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGS80TS65HRC11, 650V çalışma gerilimiyle tasarlanmış Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 40A sürekli collector akımı ve 120A pulse akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketlemesiyle güç elektronik devreleri, inverter, motor kontrol ve UPS sistemlerinde kolaylıkla entegre edilebilir. 37ns açılış ve 112ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 272W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
73 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
272 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/112ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V