Görsel mevcut değil
RGTV00TK65GVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTV00TK65GVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV00TK65GVC11, 650V kolektör-emitör bozulma gerilimi ile tasarlanmış Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 45A nominal ve 200A pulslu kolektör akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-3PFM paket tipinde üretilen bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.9V maksimum VCE(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 104nC kapı yükü ve 41ns/142ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Inverter, konvertör, motor sürücü ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
104 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
94 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
1.17mJ (on), 940µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
41ns/142ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V