Görsel mevcut değil
RGWX5TS65DHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGWX5TS65DHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWX5TS65DHRC11, yüksek hızlı hızlı anahtarlama türü Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 650V maksimum collector-emitter breakdown voltajı, 132A maksimum collector akımı ve 300A pulsed collector akımı ile tasarlanmıştır. 348W maksimum güç yeteneğine sahip bu bileşen, düşük on/off gecikmesi (sırasıyla 62ns/237ns) ve 92ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketli bu transistör, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, şarj cihazları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -40°C ile 175°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
132 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
213 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
348 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
62ns/237ns
Test Condition
400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V