Görsel mevcut değil
RGWSX2TS65GC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGWSX2TS65GC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWSX2TS65GC13, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 104A kolektör akımı ve 180A pulslu akım yeteneği ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 288W maksimum güç kapasitesi ve hızlı anahtarlama karakteristiği (55ns turn-on, 180ns turn-off) ile AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç invertörleri gibi endüstriyel uygulamalarda yer alır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 140nC gate charge ve 2V Vce(on) değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
104 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
140 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
288 W
Supplier Device Package
TO-247G
Switching Energy
1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
55ns/180ns
Test Condition
400V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V