Görsel mevcut değil
RGWS80TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGWS80TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS80TS65DGC13, Trench Field Stop teknolojisine dayalı 650V/71A kapasiteli bir IGBT transistördür. Yüksek hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olan bu bileşen, 40ns/114ns on/off gecikmesi ve 700µJ/660µJ anahtarlama enerjisi ile verimli çalışır. Gate charge değeri 83 nC olan cihaz, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, kaynak makinelerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 202W güç yayabilir. TO-247-3 paketinde sunulan IGBT, 400V/40A test koşullarında 2V Vce(on) değerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
71 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
83 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
202 W
Reverse Recovery Time (trr)
88 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Switching Energy
700µJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/114ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V