Görsel mevcut değil
RGWS60TS65GC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGWS60TS65GC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS60TS65GC13, Trench Field Stop teknolojisine dayalı hızlı anahtarlama tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 51A DC kolektör akımı ile çalışan bu bileşen, 90A nabız akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 32ns açılış ve 91ns kapanış gecikmesi ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 58nC gate charge değeri ile düşük sürüş gücü gerektirir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç elektronikleri devreleri, endüstriyel motor kontrol, enerji dönüştürme sistemleri ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 156W güç disipasyonu ile tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
51 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
58 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
156 W
Supplier Device Package
TO-247G
Switching Energy
500µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
32ns/91ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V