Görsel mevcut değil
RGWS60TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGWS60TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS60TS65DGC13, 650V collector-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmış Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 51A DC collector akımı ve 90A pulsed akım kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 58nC gate charge ve 32ns/91ns açılış/kapanış gecikme süreleri ile yüksek hızlı anahtarlama performansı sağlar. 156W maksimum dissipasyon gücü ve 88ns reverse recovery time özelikleriyle inverter, motor sürücü ve DC-DC converter devrelerinde tercih edilir. TO-247-3 paket formatında sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun olup, seri üretim uygulamalarında aktif olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
51 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
58 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
156 W
Reverse Recovery Time (trr)
88 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Switching Energy
500µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
32ns/91ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V