Görsel mevcut değil
RGWS00TS65GC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGWS00TS65GC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS00TS65GC13, yüksek hızlı hızlı anahtarlama tipinde Trench Field Stop IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 88A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 245W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 46ns açılış ve 145ns kapanış gecikmesi sürelerine sahip olup, hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygundur. TO-247-3 through-hole paketi ile endüstriyel invertörler, motor kontrolü, güç kaynakları ve traction uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kalıcı performans sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
88 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
108 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
245 W
Supplier Device Package
TO-247G
Switching Energy
980µJ (on), 910µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
46ns/145ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V