Görsel mevcut değil
RGWS00TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGWS00TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS00TS65DGC13, Trench Field Stop teknolojisine dayalı yüksek hızlı hızlı anahtarlama tipi IGBT transistördür. 650V kollektor-emitter bozulma voltajı ve 88A maksimum kollektor akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 245W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 46ns/145ns açılış/kapanış gecikmelerine sahiptir. Reverse recovery süresi 88ns olan bu bileşen, anahtarlama frekansının yüksek olması gereken uygulamalarda tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, invertörler, motor sürücüleri, şarj cihazları ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
88 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
108 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
245 W
Reverse Recovery Time (trr)
88 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Switching Energy
980µJ (on), 910µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
46ns/145ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V