Görsel mevcut değil
RGW80TS65HRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW80TS65HRC11 Hakkında
RGW80TS65HRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı hızlı anahtarlama türü Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 650V kolektör-emitter gerilim ve 80A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 110nC gate charge değeri ve 42ns açılış / 148ns kapanış süresiyle düşük anahtarlama kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 1.9V açık kapanma gerilimi ile verimli enerji dönüşümü gerçekleştirir. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel uygulamalar gibi yüksek güç elektronik sistemlerinde kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
110 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
214 W
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
42ns/148ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V