Görsel mevcut değil
RGW80TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW80TS65GC11 Hakkında
RGW80TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, şarj cihazlarında, UPS sistemlerinde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. Maksimum collector akımı 78A, darbe akımı 160A'a kadar çıkabilir. 1.9V düşük Vce(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 214W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama özelliği (44ns açılış, 143ns kapanış) ile minimal anahtarlama kayıpları elde edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
78 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
110 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
214 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
44ns/143ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V