Görsel mevcut değil
RGW80TS65EHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW80TS65EHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGW80TS65EHRC11, 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 80A nominal kollektör akımı (160A pulslu) kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde kullanılır. 43ns anahtarlama süresi (açılış) ve 148ns (kapanış) ile düşük enerji kaybı sağlar. 214W maksimum güç disipasyon özelliğine sahiptir. -40°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans gösterir. İnverter, motor sürücü, anahtarlamalı güç kaynakları ve benzer power conversion sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
110 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
214 W
Reverse Recovery Time (trr)
86 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
43ns/148ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V