Görsel mevcut değil
RGW80TS65DHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW80TS65DHRC11 Hakkında
RGW80TS65DHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 214W güç yönetimi ve 92ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarına tasarlanmıştır. Gate charge değeri 110nC olan bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmakta ve -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilmektedir. Td(on/off) değerleri 42ns/148ns olup, standart input tipine sahiptir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
110 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
214 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
42ns/148ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V