Görsel mevcut değil
RGW80TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW80TS65DGC11 Hakkında
RGW80TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 78A maksimum kolektör akımı, 160A darbe akımı ve 1.9V Vce(on) değerleriyle verimli çalışma sağlar. 110nC gate charge ve 44ns/143ns açılış/kapanış gecikmesiyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 175°C arasında güvenilir işletme yapabilen bu IGBT, inverter, konverter, motor sürücü ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
78 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
110 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
214 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
44ns/143ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V