Görsel mevcut değil
RGW80TS65CHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW80TS65CHRC11 Hakkında
RGW80TS65CHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı anahtarlama tipi IGBT transistördür. 650V maksimum Vce(on) gerilim ile tasarlanmıştır ve 81A sürekli kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Darbe durumunda 160A'ye kadar akım taşıyabilir. 110nC gate charge ve düşük 33ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özellikleri sunar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, inverterler, şopper devrelerinde ve servo sürücülerde kullanılır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 214W maksimum güç kapasitesi ile orta güçlü endüstriyel uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
81 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
110 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
214 W
Reverse Recovery Time (trr)
33 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
120µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
43ns/145ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V