Görsel mevcut değil
RGW80TK65GVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW80TK65GVC11 Hakkında
RGW80TK65GVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM (SC-93-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılmaktadır. Maksimum collector akımı 39A, pulse akımı 160A olup, gate charge değeri 110nC'dir. Vce(on) gerilimi 15V gate geriliminde 40A akımda 1.9V'tur. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışan komponent, 81W maksimum güç dağılımına kapasitedir. Açılış ve kapanış switching enerji değerleri sırasıyla 760µJ ve 720µJ'dir. AC motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
39 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
110 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
81 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
44ns/143ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V