Görsel mevcut değil
RGW80TK65DGVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW80TK65DGVC11 Hakkında
RGW80TK65DGVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM (SC-93-3) paketinde sunulan bu tekil IGBT, düşük açılış gecikmesi (44ns) ve hızlı kapanış karakteristiğine (143ns) sahiptir. Maksimum kollektor-emiter doyma gerilimi 1.9V@15V/40A olarak belirtilmiş olup, 81W güç dağıtımına sahiptir. 110nC gate charge ve 92ns reverse recovery time özellikleri ile enerji verimliliği sağlar. Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücü uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
39 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
110 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
81 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
44ns/143ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V