Görsel mevcut değil
RGW60TS65HRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW60TS65HRC11 Hakkında
RGW60TS65HRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/64A Trench Field Stop teknolojisine dayalı hızlı anahtarlama IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 178W güç tüketimine sahip olup, kolektör akımı 120A darbe değerine ulaşabilmektedir. Hızlı açılma/kapanma zamanları (36ns/107ns), yüksek frekansla çalışan anahtarlama uygulamalarında etkindir. Vce(on) değeri 1.9V @ 15V/30A koşulunda ölçülmüştür. -40°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, güç inverterleri, welding sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
84 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
178 W
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
36ns/107ns
Test Condition
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V