Görsel mevcut değil
RGW60TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW60TS65GC11 Hakkında
RGW60TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 60A kolektör akımı, 120A darbe akımı ve 84nC gate yükü özellikleriyle güç dönüştürme ve inverter devrelerinde istihdam edilir. 37ns açılış ve 114ns kapanış gecikmesiyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 1.9V tipik VCE(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Endüstriyel sürücü, klima sistemleri ve UPS uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
84 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
178 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
480µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/114ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V