Görsel mevcut değil
RGW60TS65EHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW60TS65EHRC11 Hakkında
RGW60TS65EHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı anahtarlama türü Trench Field Stop IGBT transistördür. 650V kollektör-emitör kırılma voltajı ve 64A maksimum kolektör akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 37ns açılış ve 101ns kapanış gecikme süresi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 178W maksimum güç tüketimi ve -40°C ile +175°C işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç kaynakları gibi yüksek frekanslı anahtarlamaya ihtiyaç duyulan sistemlerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
84 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
178 W
Reverse Recovery Time (trr)
146 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
37ns/101ns
Test Condition
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V