Görsel mevcut değil
RGW60TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW60TS65DGC11 Hakkında
RGW60TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/30A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum collector akımı 60A, pulse akımı 120A'dır. 84 nC gate charge ve düşük switching energy (480µJ on, 490µJ off) özellikleriyle verimli anahtarlama sağlar. Vce(on) değeri 1.9V @ 15V, 30A koşullarında ölçülmüştür. -40°C ~ 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, invertör, motor sürücü, UPS ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
84 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
178 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
480µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/114ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V