Görsel mevcut değil
RGW60TS65CHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW60TS65CHRC11 Hakkında
RGW60TS65CHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı, hızlı anahtarlama türü IGBT transistörüdür. 650V maksimum Vce(on) gerilimi ve 64A sürekli kolektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama enerjisi 70µJ (açılış) ve 220µJ (kapanış) değerleriyle, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, maksimum 178W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 34ns reverse recovery time ve 37ns/91ns açılış/kapanış gecikme süreleri düşük kayıplarla yüksek verimlilik sağlamaktadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
84 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
178 W
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
70µJ (on), 220µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/91ns
Test Condition
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V