Görsel mevcut değil
RGW60TK65GVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW60TK65GVC11 Hakkında
RGW60TK65GVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 84nC gate charge ve düşük switching energy değerleri (480µJ on, 490µJ off) ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. 1.9V Vce(on) değeri ile minimum enerji kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor sürücüler, kaynak makineleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maximum 72W güç dağıtma kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
84 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
72 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
480µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/114ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V