Görsel mevcut değil
RGW60TK65DGVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW60TK65DGVC11 Hakkında
RGW60TK65DGVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevleri gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 1.9V düşük Vce(on) değeri ile verimli enerji kullanımı sağlar. 92ns hızlı reverse recovery time ile minimize edilmiş anahtarlama kayıpları sunar. Maksimum 72W güç disipasyonu ile endüstriyel inverterler, motor kontrol sürücüleri, güç kaynakları ve adaptif enerji yönetim sistemlerinde kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
84 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
72 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
480µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/114ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V