Görsel mevcut değil
RGW50TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW50TS65GC11 Hakkında
RGW50TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 25A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 50A maksimum kolektör akımı ve 100A darbe akımı kapasitesi ile AC/DC güç dönüştürücüleri, üniversal motor kontrol devreleri ve kaynak makinalarında yaygın şekilde uygulanır. 1.9V doyum voltajı, 73nC gate charge ve 35ns/102ns açılış/kapanış süreleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar ve 156W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
73 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
156 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
390µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/102ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V