Görsel mevcut değil
RGW50TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW50TS65DGC11 Hakkında
RGW50TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 25A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama görevini gerçekleştirir. 50A maksimum kollektör akımı ve 100A impuls akımı ile güç elektronikleri devrelerinde kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 1.9V olup, enerji verimliliği açısından dikkat edilmiş bir tasarıma sahiptir. Switching energy değerleri (on: 390µJ, off: 430µJ) ile hızlı anahtarlama yetenekleri vardır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, kaynak makinaları ve güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
73 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
156 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
390µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/102ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V