Görsel mevcut değil
RGW50TK65GVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW50TK65GVC11 Hakkında
RGW50TK65GVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı anahtarlamaya optimized edilmiş Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. 650V maksimum Vce(sat) voltajı ve 30A sürekli kolektör akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 73nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliği sunar. 390µJ açılış ve 430µJ kapanış enerji değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel güç dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -40°C ile +175°C aralığında çalışmaya uygun tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
73 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
67 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
390µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/102ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V