Görsel mevcut değil
RGW50TK65DGVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW50TK65DGVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGW50TK65DGVC11, 650V kolektör-emiter aralığında çalışan, 30A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmış yüksek hızlı IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak düşük switching kayıpları sağlar. TO-3PFM paketinde sunulan bu transistör, 1.9V on-state voltajı (Vce(on)) ve 92ns ters kurtarma süresi (trr) ile karakterize edilir. Gate charge değeri 73nC olup, hızlı kapat-aç işlemleri (Td on/off: 35ns/102ns) gerçekleştirmektedir. Maksimum 100A pulsed akım ve 67W güç disipasyonu kapasitesi vardır. -40°C ile +175°C arasında güvenli çalışır. Anahtarlama enerjisi 390µJ (açılış) ve 430µJ (kapanış) seviyesindedir. Enerji dönüşümü, güç yönetimi, motor sürücü uygulamaları ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
73 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
67 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
390µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/102ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V