Görsel mevcut değil
RGW40TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW40TS65GC11 Hakkında
RGW40TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 20A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. Maksimum 40A sürekli akım ve 80A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik devrelerinde kullanılır. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. 33ns açılış ve 76ns kapanış zamanı hızlı anahtarlamayı destekler. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Inverter, UPS, motor kontrol ve endüstriyel güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 136W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
59 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
136 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
330µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
33ns/76ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V