Görsel mevcut değil
RGW40TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW40TS65DGC11 Hakkında
RGW40TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/20A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 1.9V düşük geçiş voltajı (Vce(on)), 59nC gate charge ve 330µJ açılış/300µJ kapanış switching enerjisi ile verimli çalışma sağlar. 33ns/76ns hızlı anahtarlama süreleri (Td on/off) yüksek frekans uygulamalarına uygun kılmaktadır. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında, 136W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Enerji dönüştürücüler, DC-DC konvertörler, inverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Aktif parça olarak piyasada mevcuttur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
59 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
136 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
330µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
33ns/76ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V