Görsel mevcut değil
RGW00TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW00TS65GC11 Hakkında
RGW00TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/50A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 254W maksimum güç kapasitesi ve 1.9V Vce(on) değeriyle DC/AC güç dönüşüm devreleri, motor kontrol uygulamaları, inverter ve UPS sistemlerinde tercih edilir. 52ns turn-on ve 180ns turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletim sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
141 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
254 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
52ns/180ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V