Görsel mevcut değil
RGW00TS65EHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW00TS65EHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGW00TS65EHRC11, Trench Field Stop teknolojisine dayanan yüksek hızlı anahtarlamalı bir IGBT transistördür. 650V collector-emitter ızdılaş voltajı ve maksimum 96A kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 254W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama özelliğiyle 90ns reverse recovery time ve 50ns/183ns on/off gecikmesi sunmaktadır. TO-247-3 paketinde monte edilen bu bileşen, -40°C ile +175°C arasında güvenli çalışma sağlar. Endüstriyel güç elektronikleri, invertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
141 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
254 W
Reverse Recovery Time (trr)
90 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Td (on/off) @ 25°C
50ns/183ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V