Görsel mevcut değil
RGW00TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW00TS65DGC11 Hakkında
RGW00TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 50A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim ve orta-yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.9V düşük Vce(on) değeri, enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir. 95ns reverse recovery süresi ve 52ns/180ns açılış/kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. Maksimum 254W güç yönetimi kapasitesi ile AC/DC konvertörler, kaynak cihazları, motorlu uygulamalar ve endüstriyel inverter devrelerinde kullanılabilir. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
141 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
254 W
Reverse Recovery Time (trr)
95 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
52ns/180ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V