Görsel mevcut değil
RGW00TS65CHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
RGW00TS65CHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGW00TS65CHRC11, 650V Vce(sat) derecelendirilmiş yüksek hızlı IGBT transistörüdür. Maximum 96A sürekli collector akımı ve 200A pulsed akımı ile tasarlanmıştır. Gate charge değeri 141 nC olup, düşük Vce(on) değeri (1.9V @ 15V, 50A) ile verimli çalışma sağlar. Hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olup, on/off delay zamanları sırasıyla 49ns/180ns'dir. Reverse recovery time 33 ns ile minimize edilen anahtarlama kayıpları sayesinde, güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve UPS sistemleri gibi anahtarlamalı güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -40°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. TO-247-3 through-hole paketi ile standart PCB montajı uyumludur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
141 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
254 W
Reverse Recovery Time (trr)
33 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
180µJ (on), 420µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
49ns/180ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V