Görsel mevcut değil
RGW00TK65GVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW00TK65GVC11 Hakkında
RGW00TK65GVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 50A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-3PFM paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 45A sürekli kolektör akımı ve 200A darbe kapasitesi ile güç dönüştürme devrelerinde, inverter uygulamalarında ve motor sürücü sistemlerinde tercih edilir. 52ns açılış ve 180ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
141 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
89 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
52ns/180ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V