Görsel mevcut değil
RGW00TK65DGVC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW00TK65DGVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGW00TK65DGVC11, 650V 50A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 45A sürekli kollektör akımı ve 200A pulslu akım kapasitesine sahiptir. TO-3PFM paket türünde sunulan transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 52ns açılış ve 180ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 95ns ters kurtarma süresi (trr) ve 1.18mJ açılış + 960µJ kapanış enerji değerleriyle verimli performans sunar. AC/DC güç dönüştürme, motor kontrol, endüstriyel anahtarlama devreleri ve UPS sistemlerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
141 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
89 W
Reverse Recovery Time (trr)
95 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
52ns/180ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V