Görsel mevcut değil
RGTVX6TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT
RGTVX6TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTVX6TS65DGC11, 650V derecelendirilmiş Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. Maksimum kolektör akımı 144A, darbe akımı 320A'dir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 404W güç dağıtabilen yüksek verimli bir anahtar elemanıdır. Vce(on) değeri 15V kapı geriliminde 80A akımda 1.9V olup, düşük açılma kaybını gösterir. 171nC gate charge ve 2.65mJ açılma / 1.8mJ kapanma enerji değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -40°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol, kaynak makinaları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
144 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
320 A
Gate Charge
171 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
404 W
Reverse Recovery Time (trr)
109 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
45ns/201ns
Test Condition
400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V