Görsel mevcut değil
RGTVX2TS65GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
RGTVX2TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTVX2TS65GC11, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 111A DC ve 240A pulse kolektör akımı ile tasarlanmış bu bileşen, endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlaması için kullanılır. 2µs short-circuit tolerance özelliğine sahip olan transistör, yüksek voltaj ve akım kontrolü gerektiren konvertör, motor sürücü ve kaynak cihazları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 319W maksimum güç derecelendirmesi ve düşük gate charge (123nC) değeri ile hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
111 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
123 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
319 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
49ns/150ns
Test Condition
400V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V