Görsel mevcut değil
RGTVX2TS65DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 60A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTVX2TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTVX2TS65DGC11, 650V voltaj seviyesinde çalışan bir Field Stop Trench IGBT transistördür. 60A nominal akım kapasitesi ve 240A dürtü akımı ile güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sağlanan bu bileşen, endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve solar enerji sistemleri gibi uygulamalarda yer alır. Düşük Vce(on) değeri (1.9V @ 15V, 60A) ve hızlı anahtarlama özellikleri (49ns açılış, 150ns kapanış) sayesinde verimliliği artırır. -40°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Maksimum 319W güç dağıtabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
111 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
123 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
319 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
49ns/150ns
Test Condition
400V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V